品牌介绍
Wolfspeed（纽约证券交易所代码：WOLF）在全球采用碳化硅和氮化镓技术方面处于领先地位。我们为高效能源消费和可持续未来提供业界领先的解决方案。Wolfspeed的产品系列包括碳化硅材料、电源开关设备和射频设备，针对各种应用，如电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储、航空航天和国防。我们通过努力工作、协作和对创新的热情来释放可能性的力量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 193A（Tc） 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3,121.11047 | 140 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,121.11047 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,295.89967 | 65 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,295.89967 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 29.5A（Tc） 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,443.68203 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,443.68203 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 423A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5,101.46419 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,101.46419 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 450A 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5,540.60121 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,540.60121 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 382A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5,611.58163 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,611.58163 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 450A 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6,146.90437 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,146.90437 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 395A (Tc) 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4,998.68744 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,998.68744 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1700伏（1.7千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 325A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6,390.84524 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,390.84524 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 1015A（Tc） 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20,227.46412 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20,227.46412 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 468A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6,783.26557 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,783.26557 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 182A（Tj） 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,344.96130 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,344.96130 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tj） 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,547.90736 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,547.90736 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 530A 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6,783.26557 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,783.26557 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 168A 供应商设备包装: Module | ¥12.05219 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.05219 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 444A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥3.85322 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.85322 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 87A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4,196.17412 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,196.17412 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 1200V 2B HALF-BRIDGE | ¥1,789.57573 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,789.57573 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 1200V 2B HALF-BRIDGE | ¥2,283.25180 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,283.25180 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 78A 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,029.07123 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,029.07123 | 添加到BOM 立即询价 |