久芯网

FDS3890

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.90636 13.90636
10+ 12.51573 125.15731
100+ 10.05966 1005.96640
500+ 8.26516 4132.58150
1000+ 7.51378 7513.78400
2500+ 7.51378 18784.46000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.02321
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.91
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 最大功率 900mW
  • 漏源电压标 (Vdss) 80V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.7A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
  • 导通电阻 Rds(ON) 44毫欧姆 @ 4.7A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1180华氏度@40伏

FDS3890 产品详情

PowerTrench®双N沟道MOSFET,Fairchild半导体

ON Semis PowerTrench®MOSFET经过优化的功率开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷、小反向恢复和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • 4.7安培,80伏
  • RDS(开启)=44 mΩ@VGS=10 V
  • RDS(开启)=50 mΩ@VGS=6 V
  • 快速切换速度
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • 高功率和电流处理能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDS3890所属分类:场效应晶体管阵列,FDS3890 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS3890价格参考¥12.023214,你可以下载 FDS3890中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS3890规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部