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DMC3025LSDQ-13

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.28731 5.28731
10+ 4.66442 46.64428
100+ 3.57364 357.36470
500+ 2.82516 1412.58300
1000+ 2.26014 2260.14700
2500+ 2.04822 5120.55000
5000+ 1.92624 9631.24500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥5.28732
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.29
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 场效应管特性 标准
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 最大功率 1.2W(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6.5A (Ta), 4.2A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 20欧姆@7.4A、10V、45欧姆@5.2A、10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V, 5.1nC @ 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 501皮法 @ 15V, 590皮法 @ 25V

DMC3025LSDQ-13 产品详情

这一新一代30V N+P沟道增强型MOSFET的设计旨在最小化RDS(开启),同时保持优异的开关性能。该设备非常适合直流风扇、电池包装和其他电源管理功能。

DMC3025LSDQ-13所属分类:场效应晶体管阵列,DMC3025LSDQ-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMC3025LSDQ-13价格参考¥5.287317,你可以下载 DMC3025LSDQ-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMC3025LSDQ-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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