特色
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS=10 V，ID=2.7 A时，最大rDS（开）=105 mΩ
- VGS=6 V，ID=2.1 A时，最大rDS（开）=171 mΩ
- 用于极低rDS的高性能沟槽技术（开启）
- 广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力
- 100%UIL测试
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- 同步整流器
- 桥接拓扑的主交换机
FDS89161
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 12.31293 | 12.31293 |
| 10+ | 11.07439 | 110.74394 |
| 100+ | 8.89935 | 889.93510 |
| 500+ | 7.31156 | 3655.78150 |
| 1000+ | 6.64680 | 6646.80900 |
| 2500+ | 6.64680 | 16617.02250 |
- 库存: 0
- 单价: ¥12.31293
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.31
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管特性 标准
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大功率 1.6瓦
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.7A
- 导通电阻 Rds(ON) 105毫欧姆@2.7A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 210华氏度@50伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.1nC @ 10V
FDS89161 产品详情
该N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺生产，该工艺针对rDS（开启）、开关性能和耐用性进行了优化。
FDS89161 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDS-312 | 乔纳德 (Jonard Tools) | FIBER DROP CABLE STRIPPER (3.1MM | ¥202.43906 |
 | FDSM012P2 | 百通 (Belden) | FD M_D OS2 12F OFNP SU_3. | ¥4.92517 |
| FDSY006RF | 百通 (Belden) | FD TO_CPE OS2 6F OFNR | ¥22.09085 |
| FDST012RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 12F OFNR | ¥23.39457 |
| FDSY008RF | 百通 (Belden) | FD OS2 TO_CPE 8F OFNR | ¥24.481 |
| FDST036RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 36F OFNR | ¥39.03923 |
| FDSM006P2 | 百通 (Belden) | FD MD_LT OS2 6F OFNP NON_UNI | ¥2.35438 |
| FDSB006LB | 百通 (Belden) | FD BO OS2 6F LSZH SU_2.0 | ¥17.02082 |
| FDST004RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 4F OFNR | ¥17.2381 |
| FDST024RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 24F OFNR | ¥31.14447 |
FDS89161所属分类：场效应晶体管阵列，FDS89161 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDS89161价格参考￥12.312930，你可以下载 FDS89161中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDS89161规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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