9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMN2028UFU-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2028UFU-7参考价格为0.48000美元。Diodes Incorporated DMN2028UFU-7封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6。您可以下载DMN2028UFU-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2028UFDH-7，带有引脚细节，包括DMN2028系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-PowerWDFN，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在PowerDI3030-8供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重）公共漏极，最大功率为1.1W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为151pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6.8A，Rds最大Id Vgs为20 mOhm@4A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.5nC@4.5V，Id连续漏极电流为6.8 A，Vds漏极源极击穿电压为20 V，Rds漏极-源极电阻为36 mOhm，晶体管极性为N沟道。
带用户指南的DMN2028UFU-13，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于U-DFN2020-6以及DMN2028系列，该设备也可用于20.2 mOhm@4.5A，4.5V Rds最大Id Vgs。此外，最大功率为900mW，该设备采用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，该设备具有6-UDFN封装盒暴露垫，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为887pF@10V，栅极电荷Qg-Vgs为18.4nC@8V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为7.5A。
带有电路图的DMN2028UFDF-7，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于DMN2028，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
