起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.62145 | 3.62145 |
| 10+ | 2.67987 | 26.79873 |
| 100+ | 1.51593 | 151.59390 |
| 500+ | 1.00386 | 501.93300 |
| 1000+ | 0.76963 | 769.63100 |
| 2000+ | 0.66924 | 1338.48800 |
| 5000+ | 0.60232 | 3011.60000 |
| 10000+ | 0.53539 | 5353.95000 |
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说明：
该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
应用：
●电机控制
●电源管理功能
●负载开关
特点和优点：
●低导通电阻
●低输入电容
●快速切换速度
●ESD保护门
●完全无铅且完全符合RoHS（注释1和2）
●无卤素和锑。“绿色”设备（注3）
●符合AEC-Q101高可靠性标准
机械数据:
●案例：SOT363
●外壳材料：模压塑料，“绿色”模压化合物。
UL可燃性分类等级94V-0
●湿度敏感性：J-STD-020规定的1级
●端子连接指示器：参见图
●端子：完成 在Alloy42引线框架上退火的亚光锡。
可根据MIL-STD-202方法208焊接
●重量：0.006克（近似值）
（图片：引线/示意图）
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DMNF1-285-C | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.110英寸（2.79毫米） 端接: 压接 | ¥4.86723 |
| DMNF1-488FIB-M | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米） 端接: 压接 | ¥3.47659 |
| DMNF6-63M-L | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 公接头 线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥2.79576 |
 | DMN62D0LFB-7B | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 供应商设备包装: X1-DFN1006-3 | ¥0.64831 |
 | DMN3029LFG-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 | ¥1.20652 |
 | DMN3029LFG-7 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.20652 |
| DMN6140L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.7471 |
| DMN2041L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.50199 |
| DMN6068SE-13-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A | ¥3.32099 | |
| DMN2004WK | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.29688 |
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