9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPG20N10S4L22AATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPG20N10S4L22AATMA1价格参考1.92000美元。Infineon Technologies IPG20N10S4L22AATMA1封装/规格：MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8。您可以下载IPG20N10S4L22AATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPG20N10S436AATMA1，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了IPG20N10S4-36A SP001102930中使用的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于8-PowerVDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商设备包的PG-TDSON-8-10，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为43W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为990pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为20A，最大Id Vgs上的Rds为36 mOhm@17A，10V，Vgs最大Id为3.5V@16μA，栅极电荷Qg Vgs为15nC@10V，Pd功耗为43 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为3纳秒，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为20 A 20 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V 100 V，Vgs第栅极-源阈值电压为2.7 V，Rds漏极电阻为31 m欧姆31 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为3 ns，典型开启延迟时间为1ns，Qg栅极电荷为9.4nC，信道模式为增强。
IPG20N10S4L-22是MOSFET MOSFET，包括1.6V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-16V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100V 100V，提供典型的开启延迟时间功能，如5ns，典型的关闭延迟时间设计为30ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，技术为Si，器件为XPG20N10系列，器件具有3 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为20 mOhms 20 mOhm，Qg栅极电荷为21 nC，Pd功耗为60 W，部件别名为IPG20N10S4L22ATMA1 IPG20H10S4L22XT SP000866570，封装为卷筒，封装盒为TDSON-8，通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为20 A 20 A，下降时间为18 ns，配置为双通道，通道模式为增强型。
带电路图的IPG20N10S4L-22A，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷筒包装。数据表注释中显示了用于IPG20H10S4L22AATMA1 SP001091984的零件别名，该产品提供XPG20N10等系列功能，技术设计用于Si，以及N通道晶体管极性，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
