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CSD75205W1015是MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA，包括NexFET？系列，它们设计为与Digi-ReelR封装一起工作，数据表注释中显示了用于6-UFBGA、DSBGA的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计为表面安装，以及6-DSBGA（1x1.5）供应商设备包，该设备也可以用作2 P通道（双）FET类型。此外，最大功率为750mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有265pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为1.2A，最大Id Vgs上的Rds为120 mOhm@1A，4.5V，Vgs最大Id为850mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为2.2nC@4.5V。
CSD75204W15是MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA，包括900mV@250μA Vgs th Max Id，设计用于与9-DSBGA供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于NexFET？，提供功率最大功能，如700mW，封装设计用于Digi-ReelR，以及9-UFBGA、DSBGA封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供410pF@10V输入电容Cis Vds，器件具有3.9nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，25°C电流连续漏极Id为3A。
CSD75203W1015，带有TI制造的电路图。CSD75203W1 015采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
