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BSL308PEH6327XTSA1

  • 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,4.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: PG-TSOP6-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.86674 5.86674
10+ 5.13521 51.35216
100+ 3.93796 393.79650
500+ 3.11328 1556.64400
1000+ 2.59440 2594.40700
3000+ 2.59440 7783.22100
  • 库存: 4800
  • 单价: ¥5.07003
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.87
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 2个P通道(双通道)
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大功率 500mW
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5nC @ 10V
  • 场效应管特性 逻辑电平门,4.5V驱动
  • 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 2A, 10V
  • 供应商设备包装 PG-TSOP6-6
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 500皮法 @ 15V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@11A.

BSL308PEH6327XTSA1 产品详情

英飞凌OptiMOS™P P沟道功率MOSFET

这个英飞凌科技 光学MOS™ P沟道功率MOSFET设计用于提供满足质量性能的增强功能。其特点包括超低开关损耗、导通电阻、雪崩额定值以及AEC认证的汽车解决方案。应用包括直流-直流、电机控制、汽车和电动汽车。

增强模式
雪崩等级
低开关和传导功率损耗
无铅铅镀层;符合RoHS
标准包装
光学MOS™ P通道系列:温度范围从-55°C到+175°C

特色

  • 增强模式
  • 雪崩等级
  • 无铅铅镀层;符合RoHS
  • AEC Q101批准的小型信号包

应用

  • 汽车
  • 消费者
  • 直流-直流
  • 电子移动性
  • 电机控制
  • 笔记本
  • 车载充电器
BSL308PEH6327XTSA1所属分类:场效应晶体管阵列,BSL308PEH6327XTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSL308PEH6327XTSA1价格参考¥5.070030,你可以下载 BSL308PEH6327XTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSL308PEH6327XTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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