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BSC070N10NS5ATMA1带有引脚细节,包括卷筒包装,它们设计用于与BSC070N15NS5 SP001241596零件别名一起操作,单位重量如数据表注释所示,用于0.017870盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装盒设计用于TDSON-8,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有83 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为6 ns,上升时间为5 ns,Vgs栅极-源极电压为+/-20 V,Id连续漏极电流为80 a,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V,Rds导通漏极-漏极电阻为10.2mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为24ns,典型接通延迟时间为13ns,Qg栅极电荷为30nC,正向跨导最小值为38S,沟道模式为增强。
BSC070N10NS3GATMA1是MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3,包括1个N沟道晶体管类型,它们设计为与N沟道三极管极性一起工作,产品名称显示在数据表注释中,用于OptiMOS,提供Si等技术特性,零件别名设计用于BSC070N10 NS3GXT G SP000778082以及卷筒包装,该设备也可以用作TDSON-8封装盒。此外,信道数为1信道。
BSC070N10NS5,带有INFINEO制造的电路图。BSC070N10NS5采用TDSON-8封装,是IC芯片的一部分。