英飞凌的光学MOS™2.N-Channel系列在其电压组中提供了业界最低的导通电阻。功率MOSFET系列可用于许多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低压驱动器和服务器电源。这个OptiMOS 2产品系列的电压范围为20V及以上，并提供多种不同的封装类型。
特色
- 增强模式
- 无铅铅镀层；符合RoHS
- 符合AEC Q101要求
应用
- 汽车
- 消费者
- 直流-直流
- 电子移动性
- 电机控制
- 车载充电器
- 电信
BSD235NH6327XTSA1
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 950毫安 供应商设备包装: PG-SOT363-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 100+ | 2.93170 | 293.17010 |
| 1000+ | 2.76574 | 2765.74500 |
| 3000+ | 2.46151 | 7384.54200 |
| 10000+ | 2.04742 | 20474.23000 |
| 50000+ | 1.93152 | 96576.45000 |
- 库存: 6000
- 单价: ¥0.80179
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.80
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 最大功率 500mW
- 包装/外壳 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- 供应商设备包装 PG-SOT363-6
- 漏源电流 (Id) @ 温度 950毫安
- 导通电阻 Rds(ON) 350毫欧姆 @ 950毫安, 4.5V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2伏@1.6A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.32nC@4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 63皮法 @ 10V
BSD235NH6327XTSA1 产品详情
英飞凌OptiMOS™2功率MOSFET系列
BSD235NH6327XTSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSD-04BFFM-SL6A05 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 连接头针脚数量 - 1: four 连接头公母座 - 1: 母套接口 连接头种类 - 2: Wire Leads 长: 16.40'（5.00m） 线缆材料: 聚氯乙烯（PVC） 色彩/颜色: 黑色 | ¥154.41139 |
| BSD-08BFFM-SL6A10 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 连接头针脚数量 - 1: 8 连接头公母座 - 1: 母套接口 连接头种类 - 2: Wire Leads 长: 32.8'（10.00m） 线缆材料: 聚氯乙烯（PVC） 色彩/颜色: 黑色 | ¥261.18622 |
| BSD-08BFFM-SR6A10 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 连接头针脚数量 - 1: 8 连接头公母座 - 1: 母套接口 连接头种类 - 2: Wire Leads 长: 32.8'（10.00m） 线缆材料: 聚氯乙烯（PVC） 色彩/颜色: 黑色 | ¥261.18622 |
 | BSD5C051V | 伯恩半导体 (BORN) | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压：6V 最大钳位电压：15.5V | ¥0.21656 |
 | BSD5C051U | 伯恩半导体 (BORN) | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压：6V 最大钳位电压：15.5V | ¥0.263 |
 | BSD3C151V | 伯恩半导体 (BORN) | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：15V 击穿电压：16.7V 最大钳位电压：55V | ¥0.45992 |
 | BSD3C081V | 伯恩半导体 (BORN) | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：8V@Max 击穿电压：9V 最大钳位电压：27V | ¥0.39786 |
 | BSD3C031LX | 伯恩半导体 (BORN) | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：3V@Max 击穿电压：4V 最大钳位电压：18V | ¥0.43602 |
| BSD3C4R51V160 | 伯恩半导体 (BORN) | 暂无 | ¥0.34479 |
 | BSD5A051V | 伯恩半导体 (BORN) | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压：6V 最大钳位电压：12V | ¥0.18694 |
BSD235NH6327XTSA1所属分类：场效应晶体管阵列，BSD235NH6327XTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSD235NH6327XTSA1价格参考￥0.801789，你可以下载 BSD235NH6327XTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSD235NH6327XTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
