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NSB9435T1G

  • 描述:晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 720 mW 特征频率: 110兆赫 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1531

数量 单价 合计
2000+ 1.77451 3549.02200
  • 库存: 8750
  • 单价: ¥1.44858
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,217.78
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 基极电阻 (R1) 10千欧姆
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 晶体管类别 PNP-预偏
  • 发射极电阻 (R2) -
  • 集电极最大截止电流 -
  • 集电极击穿电压 30伏
  • 最大集电极电流 (Ic) 3A
  • 最小直流增益 125@800毫安,1V
  • 特征频率 110兆赫
  • 包装/外壳 至261-4,至261AA
  • 供应商设备包装 SOT-223 (TO-261)
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 550mV @ 300毫安, 3A
  • 最大功率 720 mW

NSB9435T1G 产品详情

该数字晶体管被设计为取代单个器件及其外部电阻偏置网络。双极型数字晶体管包含一个具有由两个电阻器组成的单片偏置网络的单个晶体管;串联基极电阻器和基极发射极电阻器。这通过将这些单独的组件集成到单个设备中消除了这些组件,并且可以降低系统成本和电路板空间。

特色

  • 集电极-发射极维持电压-VCEO(sus)=30 Vdc(最小值)@IC=10 mAdc
  • 高直流电流增益-hFE=125(最小)@IC=0.8 Adc=90(最小)@IC=3.0 Adc
  • 低集电极-发射极饱和电压-VCE(sat)=0.275 Vdc(最大值)@IC=1.2 Adc=0.55 Vdc(最大)@IC=3.0 Adc
  • SOT-223表面贴装封装
  • ESD等级-人体模型:1B级-机器模型:B级
  • 提供无铅包装
  • 汽车和其他应用的NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求;AECQ101合格和PPAP能力


(图片:引出线)

NSB9435T1G所属分类:单个预偏置双极晶体管,NSB9435T1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NSB9435T1G价格参考¥1.448580,你可以下载 NSB9435T1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NSB9435T1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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