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IRF9393TRPBF是MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计为以0.017870盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SO-8等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为49 ns，上升时间为44 ns，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏电流为-9.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.8 V，Rds导通漏极-漏极电阻为25.6 mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为55 ns，典型接通延迟时间为16 ns，Qg栅极电荷为14 nC，正向跨导最小值为13 S，沟道模式为增强。
IRF9395MTR1PBF是MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET，包括2.4V@50μA Vgs th Max Id，它们被设计为使用DIRECTFET？MC供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如7 mOhm@14A，10V，Power Max设计用于2.1W，以及Digi-ReelR备用包装，该设备也可以用作DirectFET？等距MC封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有3241pF@15V输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为64nC@10V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏电流Id为14A。
IRF9393PBF是MOSFET 1 P-CH-30V HEXFET 19.4mOhms 14nC，包括-9.2 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供SOIC-8等封装外壳功能，封装设计用于管内，以及2.5 W Pd功耗，该器件也可以用作14nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为19.4 mOhms，该器件采用Si技术，该器件具有晶体管极性的P沟道，晶体管类型为1 P沟道、单位重量为0.019048 oz，Vds漏极源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极电压为25 V。
