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FDZ2553N是MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作，包装箱如数据表注释所示，用于18-WFBGA，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计为表面安装，以及18-BGA（2.5x4）供应商设备包，该器件也可以用作2N沟道（双）FET型。此外，最大功率为2.1W，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1299pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为9.6A，最大Id Vgs上的Rds为14mOhm@9.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@4.5V。
FDZ2553NZ是MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与18-BGA（2.5x4）供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于PowerTrenchR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如14mOhm@9.6A，4.5V，Power Max设计为2.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作18-WFBGA封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1240pF@10V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为18nC@5V，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为9.6A。
FD-Z20W带有电路图，包括反射传感方法，设计用于FX-500系列。
