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IPG16N10S461ATMA1，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPG16N10S4-61 IPG16N1 0S461XT SP000892972，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于8-PowerVDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1信道数信道，该器件具有PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）供应商设备包，配置为双路，FET类型为2 N信道（双路），最大功率为29W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为490pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为16A，最大Id Vgs上的Rds为61mOhm@16A，10V，Vgs最大Id为3.5V@9μA，栅极电荷Qg Vgs为7nC@10V，Pd功耗为29W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为1ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为16A 16A，Vds漏极-源极击穿电压为100V 100V，Vgs第栅极-源阈值电压为2.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为53mOhms 53mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为5ns，典型开启延迟时间为3ns，Qg栅极电荷为5.4nC，信道模式为增强。
IPG16N10S4L61AATMA1带有用户指南，包括2.1V@90μA Vgs th Max Id，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于PG-TDSON-8-10，以及汽车、AEC-Q101、OptiMOS？系列，该设备也可以用作61 mOhm@16A，10V Rds On Max Id Vgs。此外，最大功率为29W，该设备采用IPG16N10S4L-61A SP001102932零件别名，该设备具有包装带和卷轴（TR），包装箱为8-PowerVDFN，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为845pF@25V，栅极电荷Qg Vgs为11nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为16A。
IPG20N04S4-08是MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2，包括双配置，它们设计为在20 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+175 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，信道数量设计为在2信道中工作，以及TDSON-8封装外壳，该装置也可以用作卷筒包装。此外，部件别名为IPG20N04S408ATMA1 IPG20R04S408XT SP000705582，该器件提供65W Pd功耗，该器件具有7.6mOhms的Rds漏极-源极电阻，系列为OptiMOS-T2，技术为Si，商品名为OptiMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，Vds漏极源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V。
