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CSD85312Q3E是MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为在8-PowerVDFN以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-VSON（3.3x3.3）的供应商器件封装，配置为双公共源，FET类型为2 N通道（双）公共源，最大功率为2.5W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为2390pF@10V，FET特性为逻辑电平门，5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为39A，最大Id Vgs上的Rds为12.4mOhm@10A，8V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为15.2nC@4.5V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为6 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为76 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs第N栅极-源极端电压为1.1 V，Rds漏极源极电阻为14 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为11.7nC，正向跨导Min为99S。
CSD86311W1723是MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA，包括1.4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在1 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于10 V，提供Vds漏极-源极击穿电压特性，如25 V，典型开启延迟时间设计为5.4 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件以NexFET商品名提供，器件具有技术Si，供应商器件封装为12-DSBGA（1.53x1.98），系列为NexFET？，上升时间为4.3 ns，Rds On Max Id Vgs为39 mOhm@2A，8V，Rds On Drain Source电阻为42 mOhm，Qg栅极电荷为3.1 nC，功率最大值为1.5W，Pd功耗为1.5 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为12-UFBGA，DSBGA，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为585pF@12.5V，Id连续漏极电流为4.5 A，栅极电荷Qg-Vgs为4nC@4.5V，正向跨导最小值为6.4 S，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为2.9 ns，漏极到源极电压Vdss为25V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，配置为双公共源极。
CSD85302LT是MOSFET 2N-CH，包括增强沟道模式，它们设计用于双配置，下降时间显示在数据表注释中，用于99纳秒，提供FET特性，如标准，FET类型设计用于2 N沟道（双）公共漏极，以及7.8nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，该器件也可以用作7 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，通道数为2通道，其工作温度范围在-55°C~150°C（TJ），封装外壳为4-XFLGA，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为1.7 W，最大功率为1.7W，Qg栅极电荷为6 nC，Rds漏极-源极电阻为36 mOhm，上升时间为54 ns，系列为NexFET？，供应商器件封装为4-Picostar（1.31x1.31），技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，典型关断延迟时间为173ns，典型接通延迟时间为37ns，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极电压为+/-10V，Vgs第栅极-源阈值电压为680mV。
