9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2041UVT-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2041UVT-7参考价格为0.51000美元。Diodes Incorporated DMN2041UVT-7封装/规格：MOSFET 8V~24V TSOT26。您可以下载DMN2041UVT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2040LTS-13是MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP，包括DMN2040系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.005573盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装外壳设计用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-TSSOP，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道）公共漏极，最大功率为890mW，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为570pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为6.7A，最大Id Vgs上的Rds为26mOhm@6A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为5.2nC@4.5V，Pd功耗为890mW，下降时间为6.1ns，上升时间为13.5ns，Id连续漏极电流为6.7A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为19mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19.8ns，典型导通延迟时间为5.2ns，并且前向跨导Min为8S，并且信道模式为增强。
DMN2040LSD-13是MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC，包括1.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于12 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供单位重量功能，如0.030018盎司，晶体管类型设计用于2 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为8-SOP，该设备为DMN2040系列，该设备具有26 mOhm@6A、4.5V Rds On Max Id Vgs、Rds On Drain Source电阻为26 mOhms、功率最大值为2W、Pd功耗为2W，包装为Digi-ReelR，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为562pF@10V，Id连续漏极电流为7 A，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为7A，配置为双双漏极，通道模式为增强。
DMN2040LSS-13，电路图由DIODES制造。DMN2040LSS-13在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
