9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD87350Q5D，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD87350Q5D价格参考2.83000美元。德州仪器CSD87350Q5D封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON。您可以下载CSD87350Q5D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如CSD87350Q5D价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
CSD87334Q3DT是MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002677盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有8-VSON（3.3x3.3）的供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重）不对称，最大功率为6W，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1260pF@15V，FET特性为标准，Rds最大Id Vgs为6 mOhm@12A，8V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.3nC@4.5V，Pd功耗为6 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns 17 ns，上升时间为7 ns 7 ns，Vgs栅源电压为8 V 8 V，并且Id连续漏极电流为20 A 20 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V 30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为750 mV 750 mV，Rds导通漏极-漏极电阻为8.3 mOhms 8.3 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11 ns 11 ns，典型接通延迟时间为4 ns 4 ns，Qg栅极电荷为750 mV 6.4 nC 6.4 nC，正向跨导最小值为62 S，信道模式为增强，开发套件为VSON。
CSD87335Q3D是MOSFET N-CH 30V电源块，包括1.9V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1 V 750 mV Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于10 V 10 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如30 V 30 V，典型开启延迟时间设计为8 ns 8 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件以NexFET商品名提供，器件具有技术Si，供应商器件封装为8-LSON（3.3x3.3），系列为NexFET？，上升时间为29 ns 27 ns，Rds漏极-源极电阻为2.4欧姆1.2欧姆，Qg栅极电荷为5.7 nC 10.7 nC，最大功率为6W，Pd功耗为6 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerLDFN，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，输入电容Cis-Vds为1050pF@15V，Id连续漏极电流为25 A 25 A，栅极电荷Qg-Vgs为7.4nC@4.5V，正向跨导Min为59 S 107 S，FET类型为2N信道（双）不对称，FET特性为标准，下降时间为4ns 5ns，漏极到源极电压Vdss为30V，配置为2N通道，通道模式为增强。
CSD87335Q3DT是MOSFET 2N-CH 30V 25A，包括增强型沟道模式，它们设计用于2 N沟道配置，25°C的电流连续漏极Id如数据表注释所示，用于25A，提供漏极到源极电压Vdss功能，如30V，下降时间设计用于4 ns 5 ns，以及标准FET功能，该器件也可以用作2N沟道（双）FET型。此外，正向跨导最小值为59 S 107 S，器件提供7.4nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，器件具有25 a 25 a的Id连续漏电流，输入电容Ciss Vds为1050pF@15V，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为表面安装，安装类型为SMD/SMT，信道数为2信道，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装外壳为8-PowerLDFN，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为6W，最大功率为6W；Qg栅极电荷为5.7 nC 10.7 nC，Rds漏极-源极电阻为2.4欧姆1.2欧姆，上升时间为29 ns 27 ns，系列为NexFET？，供应商器件封装为8-LSON（3.3x3.3），技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，典型关断延迟时间为13ns 17ns，典型开启延迟时间为8ns 8ns，Vds漏极-源极击穿电压为30V 30V，Vgs栅极-源极电压为10V 10V，Vgs th栅极-源极阈值电压为1 V 750 mV，Vgs th最大Id为1.9V@250μA。
