9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSL314PEL6327HTSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSL314PEL6327HTSA1参考价格为0.452美元。Infineon Technologies BSL314PEL6327HTSA1封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP。您可以下载BSL314PEL6327HTSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSL314PEH6327XTSA1，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了BSL314PE H6327 SP001101006中使用的零件别名，该产品提供了SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SC-74、SOT-457以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商设备包的PG-TSOP6-6，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为500mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为294pF@15V，FET特性为逻辑电平门，4.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为1.5A，最大Id Vgs上的Rds为140 mOhm@1.5A，10V，Vgs最大Id为2V@6.3μA，栅极电荷Qg Vgs为2.9nC@10V，Pd功耗为500 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.8 ns 2.8 ns，上升时间为3.9 ns 3.9 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为-1.5 A-1.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V-30 V，Vgs栅-源极阈值电压为-2 V，Rds漏极源极电阻为230 m欧姆230 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为12.4 ns 12.4 ns，典型接通延迟时间为5.1 ns 5.1 ns，Qg栅极电荷为-0.7nC-0.7nC，正向跨导最小值为3 S 3 S，信道模式为增强。
BSL314PE L6327是Infineon制造的MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP。BSL314PE L6327采用SC-74 SOT-457封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP。
BSL314PEL6327是MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP。BSL314PEL6327以SC-74、SOT-457封装形式提供，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2P-C H 30V 1.5 A 6TSSOP。
