9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDS3812，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDS3812参考价格为0.486美元。onsemi FDS3812封装/规格：MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC。您可以下载FDS3812英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDS3692是MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于FDS3692_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为8-SOIC，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为746pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为60 mOhm@4.5A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为15nC@10V，Pd功耗为2.5 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为26纳秒，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为50毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34纳秒，典型开启延迟时间为9.8ns，信道模式为增强。
FDS3692_NL，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDS3692_NL在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
FDS3692-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDS3692-NL采用SO8封装，是IC芯片的一部分。
