9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON6926，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON6926参考价格为0.49896美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON6926封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN。您可以下载AON6926英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON6924是MOSFET 2N-CH 30V 15A/28A 8DFN，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于与8-WDFN暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于8-DFN-EP（5x6），除了2 N沟道（半桥）FET类型之外，该器件还可以用作2W、2.2W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供1560pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为15A、28A，最大Id Vgs为5.2mOhm@20A、10V，Vgs最大Id为2.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为21nC@10V。
AON6922是MOSFET 2N-CH 25V 18A/31A 8DFN，包括1.7V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-DFN-EP（5x6）供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于3.8 mOhm@20A、10V，提供2W、2.2W等最大功率特性，封装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，以及8-WDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2340pF@12.5V输入电容Cis-Vds，器件具有32nC@110V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为25V，25°C电流连续漏极Id为18A、31A。
带电路图的AON6920_001，包括15A、26.5A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在30V漏极到源极电压Vdss下工作，FET功能如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型功能，如2 N通道（双）非对称，栅极电荷Qg Vgs设计为在21nC@10V下工作，除了1560pF@15V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用8-PowerWDFN封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为2W，2.2W，最大Id Vgs的Rds为5.2mOhm@20A，10V，供应商设备封装为8-DFN（5x6），Vgsth最大Id为2.3V@250μA。
