9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDS3912，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDS3912参考价格为32.638美元。onsemi FDS3912封装/规格：MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC。您可以下载FDS3912英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDS3890是MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于FDS3890_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为8-SOIC，配置为双双漏极，FET类型为2 N通道（双），最大功率为900mW，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为80V，输入电容Cis-Vds为1180pF@40V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.7A，最大Id Vgs的Rds为44mOhm@4.7A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为35nC@10V，Pd功耗为2W，其最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为12ns，上升时间为8ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4.7A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Rds漏极源极电阻为44mOhms，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是26ns，并且典型接通延迟时间是11ns，并且正向跨导Min是24S，并且沟道模式是增强。
FDS3890-NL，带有FSIRCHILD制造的用户指南。FDS3890-NL采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
FDS3902，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDS3902采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
