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DMN3016LDN-7

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A 供应商设备包装: V-DFN3030-8 (Type J) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
1+ 1.90198 1.90198
100+ 1.53042 153.04250
1000+ 1.43844 1438.44000
  • 库存: 100
  • 单价: ¥1.90199
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4,315.32
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 最大功率 1.1瓦
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25.1nC@10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1415FF@15V
  • 导通电阻 Rds(ON) 20毫欧姆@11A,10V
  • 供应商设备包装 V-DFN3030-8 (Type J)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7.3A

DMN3016LDN-7 产品详情

N沟道MOSFET,30V,二极管公司
DMN3016LDN-7所属分类:场效应晶体管阵列,DMN3016LDN-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN3016LDN-7价格参考¥1.901986,你可以下载 DMN3016LDN-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN3016LDN-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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