9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7504TR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7504TR参考价格0.73美元。Infineon Technologies IRF7504TR封装/规格:MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8。您可以下载IRF7504TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7503TRPBF是MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8,包括HEXFETR系列,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作,安装方式如数据表注释所示,用于SMD/SMT,提供封装盒功能,如8-TSSOP、,8-MSOP(0.118“,3.00mm宽),该技术设计用于Si,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件也可以用作表面安装安装型。此外,信道数量为2信道,该器件采用Micro8?供应商设备包,该器件具有双重配置,FET类型为2 N信道(双重),最大功率为1.25W,晶体管类型为2 N沟道,漏极-源极电压Vdss为30V,输入电容Cis-Vds为210pF@25V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为2.4A,最大Id Vgs的Rds为135 mOhm@1.7A,10V,Vgs最大Id为1V@250μA,栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V,Pd功耗为1.25 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为5.3 ns,上升时间为10 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为2.4 A,Vds漏极-源极击穿电压为30 V,Rds漏极源极电阻为135 mOhms,并且晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为12ns,典型接通延迟时间为4.7ns,Qg栅极电荷为7.8nC,正向跨导Min为1.9S,沟道模式为增强。
IRF7503TR是MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8,包括1V@250μA Vgs th Max Id,设计用于MICRO8?供应商设备包,系列如数据表注释所示,用于HEXFETR,提供Rds on Max Id Vgs功能,例如135 mOhm@1.7A,10V,Power Max设计用于1.25W,以及Digi-ReelR封装,该设备也可以用作8-TSSOP,8-MSOP(0.118“,3.00mm宽)封装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件为表面安装型,该器件具有210pF@25V的输入电容Cis-Vds,栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V,FET类型为2 N沟道(双),FET特性为逻辑电平门,漏极到源极电压Vdss为30V,电流连续漏极Id 25°C为2.4A。
IRF7504带有由IR制造的电路图。IRF7504以MSOP-8封装形式提供,是FET阵列的一部分。