9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7504TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7504TR参考价格0.73美元。Infineon Technologies IRF7504TR封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8。您可以下载IRF7504TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7503TRPBF是MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8，包括HEXFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如8-TSSOP、，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽），该技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件也可以用作表面安装安装型。此外，信道数量为2信道，该器件采用Micro8？供应商设备包，该器件具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为1.25W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为210pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.4A，最大Id Vgs的Rds为135 mOhm@1.7A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V，Pd功耗为1.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.3 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为135 mOhms，并且晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为4.7ns，Qg栅极电荷为7.8nC，正向跨导Min为1.9S，沟道模式为增强。
IRF7503TR是MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于MICRO8？供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如135 mOhm@1.7A，10V，Power Max设计用于1.25W，以及Digi-ReelR封装，该设备也可以用作8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有210pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为2.4A。
IRF7504带有由IR制造的电路图。IRF7504以MSOP-8封装形式提供，是FET阵列的一部分。
