国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术，以实现每个硅区域的最低导通电阻。这一优势，加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计者提供了一种适用于各种应用的极为高效的器件。
● 先进的工艺技术
● 超低导通电阻
● 双N和P沟道Mosfet
● 表面贴装
● 提供磁带和卷轴
● 动态dv/dt额定值
● 快速切换
特色
- 符合RoHS
- 低RDS（打开）
- 动态dv/dt额定值
- 快速切换
- 双N和P沟道MOSFET
IRF7105QTRPBF
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A、2.3A 供应商设备包装: 8-SO
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥6.53310
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.53
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规格参数
- 工作温度 -
- 安装类别 表面安装
- 场效应管类型 N和P通道
- 部件状态 过时的
- 场效应管特性 标准
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SO
- 最大功率 2W
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 25伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 330皮法 @ 15V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.5A、2.3A
- 导通电阻 Rds(ON) 100欧姆@1A、10V
IRF7105QTRPBF 产品详情
IRF7105QTRPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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IRF7105QTRPBF所属分类：场效应晶体管阵列，IRF7105QTRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF7105QTRPBF价格参考￥6.533096，你可以下载 IRF7105QTRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF7105QTRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
