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F415MR12W2M1B76BOMA1
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F415MR12W2M1B76BOMA1

  • 描述:场效应管类型: 4 N-Channel (Half Bridge) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tj) 供应商设备包装: AG-EASY1B-2 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2057.41817 2057.41817
  • 库存: 6
  • 单价: ¥2,057.41817
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,057.42
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 最大功率 -
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 碳化硅(SiC)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200V(1.2千伏)
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 供应商设备包装 AG-EASY1B-2
  • 场效应管类型 4 N-Channel (Half Bridge)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 75A (Tj)
  • 导通电阻 Rds(ON) 15欧姆@75安,15伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.55V @ 30毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 186nC@15V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5.52nF @ 800V

F415MR12W2M1B76BOMA1 产品详情

F415MR12W2M1B76BOMA1所属分类:场效应晶体管阵列,F415MR12W2M1B76BOMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。F415MR12W2M1B76BOMA1价格参考¥2057.418174,你可以下载 F415MR12W2M1B76BOMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询F415MR12W2M1B76BOMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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