9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPG20N06S3L-35，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPG20N06S3L-35参考价格为0.29000美元。Infineon Technologies IPG20N06S3L-35封装/规格：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8。您可以下载IPG20N06S3L-35英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPG20N06S3L-23是MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8，包括OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于8-PowerVDFN，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，功率最大值为45W，该器件提供55V漏极到源极电压Vdss，该器件具有2950pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为20A，最大Id Vgs上的Rds为23mOhm@16A，10V，Vgs最大Id为2.2V@20μa，栅极电荷Qg-Vgs为42nC@10V。
IPG20N06S26L65ATMA1是MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4，包括2V@14μA Vgs th Max Id，它们设计用于与PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于OptiMOS？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如65 mOhm@15A，10V，Power Max设计为43W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作8 PowerVDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有410pF@25V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为55V，电流连续漏极Id为25°C，为20A。
IPG20N06S2L65AUMA1，带电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计为与TDSON-8封装盒一起工作。数据表说明中显示了用于卷筒的封装，该卷筒提供了部件别名功能，如IPG20N66S2L-65 SP001214304。技术设计为在Si中工作，以及N通道晶体管极性，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
