9icnet为您提供由onsemi设计和生产的EFC6612R-TF，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。EFC6612R-TF参考价格为0.40000美元。onsemi EFC6612R-TF封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP。您可以下载EFC6612R-TF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EFC6611R-A-TF带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为采用SMD/SMT安装方式操作，数据表说明中显示了用于CSP6的封装盒，该CSP6提供Si等技术特性，通道数设计为在1个通道中工作，以及1个N通道配置，该设备也可以用作1个N信道晶体管类型。此外，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150℃，其最小工作温度范围是-55℃，下降时间为17700 ns，上升时间为570 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为27 A，Vds漏极-源极击穿电压为12 V，第Vgs栅极源极阈值电压为4 V，Rds漏极-源极电阻为3.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38000ns，典型接通延迟时间为80ns，Qg栅极电荷为120nC，正向跨导最小值为19S，沟道模式为增强。
EFC6611R-TF带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计用于6-CSP（1.77x3.54）供应商设备封装，数据表注释中显示了2.5W的最大功率，提供了磁带和卷轴（TR）等封装功能，封装外壳设计用于6-SMD，无引线，工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，栅极电荷Qg Vgs为100nC@4.5V，该器件提供2 N沟道（双）公共漏极FET类型，该器件具有逻辑电平门，2.5V FET驱动功能。
EFC6612R-A-TF带有电路图，包括逻辑电平门、2.5V驱动FET功能，它们设计用于2 N通道（双）非对称FET类型，栅极电荷Qg Vgs如数据表注释所示，用于27nC@4.5V，提供表面安装等安装类型功能，封装盒设计用于6-SMD，无引线，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作2.5W最大功率。此外，供应商设备包为6-CSP（1.77x3.54）。
