DMN63D8LDW-13

Name: DMN63D8LDW-13
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7119529-DMN63D8LDW-13
Price: 0.319629 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安供应商设备包装: SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
场效应管特性逻辑电平门
漏源电压标 (Vdss) 30伏
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
最大功率 300mW
场效应管类型 2个N通道（双通道）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
供应商设备包装 SOT-363
漏源电流 (Id) @ 温度 220毫安
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.87nC @ 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 22皮法@25V
导通电阻 Rds(ON) 2.8欧姆@250毫安，10V

DMN63D8LDW-13 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，是高效电源管理应用的理想选择。

特色

低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
ESD保护门

应用

电机控制
电源管理功能
背光

DMN63D8LDW-13 相关器件

型号	制造商	描述	价格
DMNF1-285-C	泛达 (Panduit)	端子类别: 标准连接头材料: 电解铜公母: 母接头线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.110英寸（2.79毫米）端接: 压接	¥4.86723
DMNF1-488FIB-M	泛达 (Panduit)	端子类别: 标准连接头材料: 电解铜公母: 母接头线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米）端接: 压接	¥3.47659
DMNF6-63M-L	泛达 (Panduit)	端子类别: 标准连接头材料: 电解铜公母: 公接头线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米）端接: 压接	¥2.79576
DMN62D0LFB-7B	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta）供应商设备包装: X1-DFN1006-3	¥0.64831
DMN3029LFG-13	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8	¥1.20652
DMN3029LFG-7	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta）供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥1.20652
DMN6140L	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.7471
DMN2041L	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.50199
DMN6068SE-13-VB		类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A	¥3.32099
DMN2004WK	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.29688

DMN63D8LDW-13所属分类：场效应晶体管阵列，DMN63D8LDW-13 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMN63D8LDW-13价格参考￥0.319629，你可以下载 DMN63D8LDW-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMN63D8LDW-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！