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IRF7509TR

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A,2A 供应商设备包装: Micro8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 库存: 9000
  • 单价: ¥5.08452
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.08
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规格参数

  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大功率 1.25瓦
  • 包装/外壳 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00毫米 Width)
  • 供应商设备包装 Micro8
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.7A,2A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 210华氏度@25伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 110欧姆@1.4A,10V

IRF7509TR 产品详情

国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势,加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种适用于各种应用的极其高效和可靠的器件。

● 第五代技术
● 超低导通电阻
● 双N和P沟道MOSFET
● 非常小的SOIC封装
● 薄型(<1.1mm)
● 提供磁带和卷轴
● 快速切换

特色

  • 符合RoHS
  • 快速切换
  • 薄型(小于1.1mm)
  • 双N和P沟道MOSFET
IRF7509TR所属分类:场效应晶体管阵列,IRF7509TR 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF7509TR价格参考¥5.084516,你可以下载 IRF7509TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF7509TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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