DMC1229UFDB-7
- 描述:场效应管类型: N和P通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A, 3.8A 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type B) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.83873 | 3.83873 |
| 10+ | 3.25930 | 32.59305 |
| 100+ | 2.43144 | 243.14420 |
| 500+ | 1.91053 | 955.26600 |
| 1000+ | 1.47632 | 1476.32000 |
| 3000+ | 1.34609 | 4038.27900 |
| 6000+ | 1.25925 | 7555.50600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.83874
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.84
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 N和P通道
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 漏源电压标 (Vdss) 12伏
- 导通电阻 Rds(ON) 29毫欧姆@5A，4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 19.6nC@8V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 914皮法@6V
- 最大功率 1.4瓦
- 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
- 供应商设备包装 U-DFN2020-6 (Type B)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5.6A, 3.8A
DMC1229UFDB-7 产品详情
双N/P沟道MOSFET，二极管股份有限公司。
DMC1229UFDB-7 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DMC-MD24C | 泰科 (TE) | DMC-MD24C | ¥336.07056 |
| DMC-M99-03AN | 泰科 (TE) | DMC-M99-03AN | ¥363.30386 |
| DMC-M22-10BN-A1188 | 泰科 (TE) | DMC-M22-10BN-A1188 | ¥416.90132 |
| DMC-M22-07BN-A1188 | 泰科 (TE) | DMC-M22-07BN-A1188 | ¥416.90132 |
| DMC-M22-05BN-A1188 | 泰科 (TE) | DMC-M22-05BN-A1188 | ¥416.90132 |
| DMC-MD26G | 泰科 (TE) | DMC-MD26G | ¥421.24706 |
| DMC-MD83AM01A1188 | 泰科 (TE) | DMC-MD83AM01A1188 | ¥488.46118 |
| DMC-MD82AM01A1188 | 泰科 (TE) | DMC-MD82AM01A1188 | ¥563.78734 |
| DMC-MD 82 M-C 01 | 泰科航天 (TE) | DMC-MD 82 M-C 01 | ¥0.22118 |
| DMC-M 08-16 AA-G | 泰科航天 (TE) | DMC-M 08-16 AA-G | ¥0.93578 |
DMC1229UFDB-7所属分类：场效应晶体管阵列，DMC1229UFDB-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMC1229UFDB-7价格参考￥3.838737，你可以下载 DMC1229UFDB-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMC1229UFDB-7规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
