9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFI4019HG-117P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFI4019HG-117P参考价格为19.508美元。Infineon Technologies IRFI4019HG-117P封装/规格：MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP。您可以下载IRFI4019HG-117P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFI4019H-117P是MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP，包括管式封装，其设计工作单位重量为0.211644盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-5全封装等封装外壳功能，技术设计在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在TO-220-5全包供应商设备包中提供，该设备具有半桥配置，FET类型为2 N信道（双），最大功率为18W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为150V，输入电容Cis-Vds为810pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8.7A，最大Id Vgs的Rds为95mOhm@5.2A，10V，Vgs最大Id为4.9V@50μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为18W，其最小工作温度范围为-40 C，下降时间为3.1ns，上升时间为6.6ns，Vgs栅极-源极电压为20V，并且Id连续漏极电流为8.7A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-漏极电阻为80m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为13nC，沟道模式为增强。
IRFI4019H带有IR制造的用户指南。IRFI4019 H采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
IRFI4019HG是由IR制造的MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP。IRFI4019 HG以TO-220-5全封装（成型引线）封装形式提供，是FET阵列的一部分，并支持MOSFET 2N-C 150V 8.7A-TO-220FP。
