9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFI4019HG-117P,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFI4019HG-117P参考价格为19.508美元。Infineon Technologies IRFI4019HG-117P封装/规格:MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP。您可以下载IRFI4019HG-117P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFI4019H-117P是MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP,包括管式封装,其设计工作单位重量为0.211644盎司,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供TO-220-5全封装等封装外壳功能,技术设计在硅中工作,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该装置也可以用作通孔安装型。此外,信道数量为2信道,该设备在TO-220-5全包供应商设备包中提供,该设备具有半桥配置,FET类型为2 N信道(双),最大功率为18W,晶体管类型为2 N-信道,漏极至源极电压Vdss为150V,输入电容Cis-Vds为810pF@25V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为8.7A,最大Id Vgs的Rds为95mOhm@5.2A,10V,Vgs最大Id为4.9V@50μA,栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V,Pd功耗为18W,其最小工作温度范围为-40 C,下降时间为3.1ns,上升时间为6.6ns,Vgs栅极-源极电压为20V,并且Id连续漏极电流为8.7A,Vds漏极-源极击穿电压为150V,Rds导通漏极-漏极电阻为80m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为13ns,典型接通延迟时间为7ns,Qg栅极电荷为13nC,沟道模式为增强。
IRFI4019H带有IR制造的用户指南。IRFI4019 H采用TO-220F封装,是IC芯片的一部分。
IRFI4019HG是由IR制造的MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP。IRFI4019 HG以TO-220-5全封装(成型引线)封装形式提供,是FET阵列的一部分,并支持MOSFET 2N-C 150V 8.7A-TO-220FP。