这一新一代MOSFET的设计旨在最大限度地降低不稳定电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，是高效电源管理应用的理想选择。
DMN3035LWN-7
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A 供应商设备包装: V-DFN3020-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.91116 | 3.91116 |
| 10+ | 3.34622 | 33.46220 |
| 100+ | 2.49880 | 249.88010 |
| 500+ | 1.96311 | 981.55800 |
| 1000+ | 1.51695 | 1516.95300 |
| 3000+ | 1.38310 | 4149.31200 |
| 6000+ | 1.29387 | 7763.23200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.91117
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.91
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管特性 标准
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5.5A
- 包装/外壳 8-PowerVDFN
- 导通电阻 Rds(ON) 35毫欧姆 @ 4.8A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.9nC @ 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 399皮法 @ 15V
- 最大功率 770mW
- 供应商设备包装 V-DFN3020-8
DMN3035LWN-7 产品详情
DMN3035LWN-7 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DMNF1-285-C | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.110英寸（2.79毫米） 端接: 压接 | ¥4.86723 |
| DMNF1-488FIB-M | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米） 端接: 压接 | ¥3.47659 |
| DMNF6-63M-L | 泛达 (Panduit) | 端子类别: 标准 连接头材料: 电解铜 公母: 公接头 线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥2.79576 |
 | DMN62D0LFB-7B | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 供应商设备包装: X1-DFN1006-3 | ¥0.64831 |
 | DMN3029LFG-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 | ¥1.20652 |
 | DMN3029LFG-7 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.20652 |
| DMN6140L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.7471 |
| DMN2041L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.50199 |
| DMN6068SE-13-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A | ¥3.32099 | |
| DMN2004WK | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.29688 |
DMN3035LWN-7所属分类：场效应晶体管阵列，DMN3035LWN-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMN3035LWN-7价格参考￥3.911166，你可以下载 DMN3035LWN-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMN3035LWN-7规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
