9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDS8934A,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FDS8934A参考价格为0.896美元。onsemi FDS8934A封装/规格:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC。您可以下载FDS8934A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,如FDS8934A价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
FDS8928A是MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC,包括Digi-ReelR替代包装包装,它们设计用于FDS8928A_NL零件别名,单位重量显示在数据表注释中,用于0.006596盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,封装外壳设计用于8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)此外,安装类型为表面安装,该器件提供2信道数量的信道,该器件具有8-SO供应商器件包,配置为N信道P信道,FET类型为N和P信道,最大功率为900mW,晶体管类型为1 N信道1 P信道,漏极到源极电压Vdss为30V,20V,输入电容Ciss Vds为900pF@10V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为5.5A、4A,Rds On最大Id Vgs为30mOhm@5.5A、4.5V,Vgs th最大Id为1V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为28nC@4.5V,Pd功耗为2W,其最大工作温度范围为+150 C,它的最小工作温度范围为-55℃,下降时间为13 ns 90 ns,上升时间为19 ns 23 ns,Vgs栅极-源极电压为8 V,Id连续漏极电流为5.5 A,Vds漏极-源极击穿电压为30 V-20 V,Rds漏极源极电阻为30 mOhms 55 mOhms,晶体管极性为N沟道P沟道,典型关断延迟时间为42ns 260ns,典型接通延迟时间为6ns 8ns,正向跨导最小值为20S 13S,信道模式为增强。
FDS8928A-NL由FAIRCHILD制造。FDS8928A-NL采用SOP-8封装,是IC芯片的一部分,支持库存。
FDS8934是由FDS制造的MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC。FDS8934采用8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装,是FET阵列的一部分,支持MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC。