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IRF6718L2TRPBF是MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 0.7mOhms 64nC，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DirectFET，提供封装外壳功能，如DirectFET-7，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供4.3 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为53 ns，上升时间为140 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为270 A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为67ns，Qg栅极电荷为64nC，正向跨导最小值为820S。
IRF6721STRPBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作11nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为42 W，该器件采用卷筒封装，该器件具有封装盒的DirectFET-2，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为60 a。
IRF6722MTRPBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC，包括56 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式。数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供DirectFET-3等封装外壳功能，封装设计用于卷筒，以及42 W Pd功耗，该器件也可以用作11nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为8 mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，Vds漏极源极击穿电压为30 V，Vgs栅源极电压为20 V。
