国际整流器公司的第五代HEXFET利用先进的工艺技术实现
每硅面积的导通电阻极低。这一优势与快速切换速度和
HEXFET功率MOSFET以其坚固耐用的器件设计而闻名，为设计者提供了一种用于各种应用的极其高效和可靠的器件。
l第五代技术
l超低导通电阻
l双N沟道Mosfet
l表面安装
l提供磁带和卷轴
l动态dv/dt额定值
l快速切换
特色
- 符合RoHS
- 低RDS（打开）
- 动态dv/dt额定值
- 快速切换
- 双N沟道MOSFET
IRF7341QTRPBF
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A 供应商设备包装: 8-SO
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥4.79480
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.79
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规格参数
- 工作温度 -
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SO
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A（最小值）
- 漏源电压标 (Vdss) 55V
- 最大功率 2.4瓦
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5.1A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 44nC @ 10V
- 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 5.1A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 780皮法 @ 25V
IRF7341QTRPBF 产品详情
IRF7341QTRPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
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 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRF7341QTRPBF所属分类：场效应晶体管阵列，IRF7341QTRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF7341QTRPBF价格参考￥4.794800，你可以下载 IRF7341QTRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF7341QTRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
