9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF8852TRBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF8852TRBF价格参考1.848美元。Infineon Technologies IRF8852TPBF封装/规格：MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP。您可以下载IRF8852TRBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF8788TRPBF是MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO，包括卷轴封装，它们设计为以0.017870盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供SO-8等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为24 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为24 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.04 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为23 ns，Qg栅极电荷为44nC，正向跨导Min为95s。
IRF8736TRPBF是MOSFET MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019048盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作6.8毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为17nC，该器件提供2.5W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装外壳为SOIC-8，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为18A。
IRF8788，电路图由IOR制造。IRF8788在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个。
