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DMN2014LHAB-7

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 供应商设备包装: U-DFN2030-6 (Type B) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.12845 4.12845
10+ 3.52004 35.20049
100+ 2.62989 262.98970
500+ 2.06654 1033.27200
1000+ 1.59684 1596.84200
3000+ 1.45596 4367.90400
6000+ 1.36202 8172.16200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥4.12845
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.13
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9A
  • 场效应管类型 2 N通道(双)公共漏极
  • 包装/外壳 6-UFDFN Exposed Pad
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16nC @ 4.5V
  • 最大功率 800mW
  • 供应商设备包装 U-DFN2030-6 (Type B)
  • 导通电阻 Rds(ON) 13毫欧姆@4A,4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1550皮法@10V

DMN2014LHAB-7 产品详情

双N沟道MOSFET,二极管股份有限公司。
DMN2014LHAB-7所属分类:场效应晶体管阵列,DMN2014LHAB-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN2014LHAB-7价格参考¥4.128453,你可以下载 DMN2014LHAB-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN2014LHAB-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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