9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH7911TR2PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH7911TR2PBF参考价格为0.962美元。Infineon Technologies IRFH7911TR2PBF封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN。您可以下载IRFH7911TR2PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFH7787TRPBF是MOSFET 75V单N沟道HEXFET功率，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，该PQFN-8提供Si等技术特性，信道数量设计为在1个信道中工作，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为83 W，器件的下降时间为12 ns，器件的上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为68 a，Vds漏极-源极击穿电压为75 V，Vgs栅-源极阈值电压为3.7 V，Rds漏极源极电阻为6.6 mOhms，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是53ns，并且典型接通延迟时间是7.3ns，并且Qg栅极电荷是110nC，并且正向跨导Min是110S，并且沟道模式是增强。
IRFH7882TRPBF，带有IR制造的用户指南。IRFH7882TRPBF以DFN5X6封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET MOSFET、N沟道80V 26A（Ta）4W（Ta）、195W（Tc）8-PQFN（5x6）、Trans MOSFET N-CH 80V 26A/R、MOSFETMOSFET、80V、180A、3.1mOhm、49nC Qg、PQFN 5x6”。
IRFH7885TRPBF，带有由IR制造的电路图。IRFH7885 TRPBF采用QFN-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET MOSFET、N沟道80V 22A（Ta）3.6W（Ta）、156W（Tc）表面安装8-PQFN（5x6）、Trans MOSFET N-CH 80V 22A/R、MOSFETMOSFET、80V、146A、3.9 mOhm、36 nC Qg、PQFN 5x6”。
