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FF6MR12W2M1B70BPSA1

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A(Tj) 供应商设备包装: AG-EASY2B 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 2 N通道(半桥)
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 碳化硅(SiC)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200V(1.2千伏)
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大功率 20mW(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 496nC @ 15V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 200A(Tj)
  • 导通电阻 Rds(ON) 5.63毫欧姆 @ 200A, 15V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.55V @ 80毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 14.7nF@800V
  • 供应商设备包装 AG-EASY2B

FF6MR12W2M1B70BPSA1 产品详情

FF6MR12W2M1B70BPSA1所属分类:场效应晶体管阵列,FF6MR12W2M1B70BPSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FF6MR12W2M1B70BPSA1价格参考¥2930.477340,你可以下载 FF6MR12W2M1B70BPSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FF6MR12W2M1B70BPSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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