9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7754GTRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7754GTRPBF参考价格为1.196美元。Infineon Technologies IRF7754GTRPBF封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP。您可以下载IRF7754GTRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRF7754GTRPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRF7752TRPBF是MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP，包括HEXFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.005573盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-TSSOP，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为1W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为861pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.6A，最大Id Vgs上的Rds为30mOhm@4.6A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为9nC@4.5V，Pd功耗为1W，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为4.6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为36mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为9nC。
IRF7752TR是MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP，包括2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如30 mOhm@4.6A，10V，功率最大设计为1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有861pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为9nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为4.6A。
IRF7754是MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP，包括5.5A电流连续漏极Id 25°C，设计用于12V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于22nC@4.5V，除了1984pF@6V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒，该器件有一个封装管，最大功率为1W，最大Id Vgs的Rds为25 mOhm@5.4A，4.5V，系列为HEXFET，供应商器件封装为8-TSSOP，Vgs最大Id为900mV@250μa。
