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DMN63D8LDW-7

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安 供应商设备包装: SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.53501 2.53501
10+ 2.04974 20.49741
100+ 1.08571 108.57110
500+ 0.71400 357.00250
1000+ 0.48556 485.56400
3000+ 0.43797 1313.93400
6000+ 0.38083 2284.99200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.53502
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.54
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 最大功率 300mW
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 供应商设备包装 SOT-363
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 220毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.87nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 22皮法@25V
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.8欧姆@250毫安,10V

DMN63D8LDW-7 产品详情

双N沟道MOSFET,二极管股份有限公司。

特色

  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 快速切换速度
  • 低输入/输出泄漏
  • ESD保护门

应用

  • 电机控制
  • 电源管理功能
  • 背光
DMN63D8LDW-7所属分类:场效应晶体管阵列,DMN63D8LDW-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN63D8LDW-7价格参考¥2.535015,你可以下载 DMN63D8LDW-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN63D8LDW-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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