9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7750TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7750TR参考价格$88.42。Infineon Technologies IRF7750TR封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP。您可以下载IRF7750TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7749L2TRPBF是MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 1.5mOhms 200nC，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DirectFET，提供封装外壳功能，如DirectFET-9，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单八进制源十六进制漏极配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供125 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为39 ns，上升时间为43 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为200 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极漏极-漏极电阻为1.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为78ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为200nC，沟道模式为增强。
IRF7750GTRPBF是MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP，包括1.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如30 mOhm@4.7A，4.5V，Power Max设计用于1W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1700pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为39nC@5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.7A。
IRF7750是MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP，包括4.7A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在39nC@5V下工作，除了1700pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒，该器件有一个封装管，最大功率为1W，最大Id Vgs的Rds为30mOhm@4.7A，4.5V，系列为HEXFET，供应商器件封装为8-TSSOP，Vgs最大Id为1.2V@250μa。
