这一新一代30V N+P沟道增强型MOSFET的设计旨在最小化RDS（开启），同时保持优异的开关性能。该设备非常适合直流风扇、电池包装和其他电源管理功能。
DMC3021LK4-13
- 描述:场效应管类型: N和P通道，公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A, 6.8A 供应商设备包装: TO-252-4L 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.78031 | 4.78031 |
| 10+ | 4.07051 | 40.70510 |
| 100+ | 3.03839 | 303.83970 |
| 500+ | 2.38726 | 1193.63000 |
| 1000+ | 1.84469 | 1844.69400 |
| 2500+ | 1.68194 | 4204.86500 |
| 5000+ | 1.57344 | 7867.24000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.78031
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.78
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@250A.
- 场效应管类型 N和P通道，公共漏极
- 包装/外壳 TO-252-5，DPak（4根引线+接线片），TO-252AD
- 最大功率 2.7瓦
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17.4nC@10V
- 导通电阻 Rds(ON) 21毫欧姆@7A，10V
- 供应商设备包装 TO-252-4L
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9.4A, 6.8A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 751皮法 @ 10V
DMC3021LK4-13 产品详情
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DMC3021LK4-13所属分类：场效应晶体管阵列，DMC3021LK4-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMC3021LK4-13价格参考￥4.780314，你可以下载 DMC3021LK4-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMC3021LK4-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
