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IRF6723M2DTR1P是MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET，包括HEXFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR封装一起工作，数据表注释中显示了用于DIRECTFET的封装盒？Isometric MA，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及DIRECTFET？MA供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，功率最大值为2.7W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1380pF@15V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为15A，最大Id Vgs上的Rds为6.6mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为2.35V@25μa，栅极电荷Qg-Vgs为14nC@4.5V。
IRF6721STRPBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作11nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为42 W，该器件采用卷筒封装，该器件具有封装盒的DirectFET-2，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为60 a。
IRF6722MTRPBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC，包括56 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式。数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供DirectFET-3等封装外壳功能，封装设计用于卷筒，以及42 W Pd功耗，该器件也可以用作11nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为8 mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，Vds漏极源极击穿电压为30 V，Vgs栅源极电压为20 V。
