9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMC325LDV-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMC325LDV-7参考价格为0.24085美元。Diodes Incorporated DMC325LDV-7封装/规格：MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8。您可以下载DMC325LDV-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMC3021LSDQ-13带有引脚细节，包括DMC302系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双公共四漏极，FET类型为N和P通道，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为767pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8.5A，7A，Rds On最大Id Vgs为21mOhm@7A，10V，Vgs th最大Id为2.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为16.1nC@10V；Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+100 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为8.55 ns 22.2 ns，上升时间为4.5 ns 6.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8.5 A-7 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V-30 V，Vgs栅-源极阈值电压为1 V-1 V，Rds漏极源极电阻为14 mOhms-30 mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为26.3ns 50.1ns，典型接通延迟时间为5ns 10.1ns，Qg栅极电荷为16.1nC 21.1nC，正向跨导最小值为8.1S 7S，沟道模式为增强。
DMC3021LSD-13是MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO，包括2.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供单位重量功能，如0.002610盎司，晶体管类型设计用于1 N通道1 P通道，该器件还可以用作Si技术。此外，供应商设备包为8-SO，该设备为DMC3021系列，该设备具有21mOhm@7A、10V Rds On Max Id Vgs，Rds On漏极-源极电阻为14mOhm，Qg栅极电荷为7.8nC，最大功率为2.5W，Pd功耗为2.5W，封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为767pF@10V，Id连续漏极电流为8.5 A，栅极电荷Qg Vgs为16.1nC@10V，正向跨导最小值为8.1 S，FET类型为N和P通道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为8.5A，7A，配置为N通道P通道。
DMC3021LSD-13-F，电路图由DIODES制造。DMC3021LSD-13-F采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
