9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN66D0LDW-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN66D0LDW-7参考价格为0.24177美元。Diodes Incorporated DMN66D0LDW-7封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363。您可以下载DMN66D0LDW-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMN65D8LW-7是MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323，包括DMN65系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-323-3以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有300 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为7.3 ns，上升时间为2.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为300 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12.6ns，典型接通延迟时间为2.7ns，Qg栅极电荷为0.87nC，正向跨导最小值为80mS，沟道模式为增强。
DMN65D8LW-7-F，带有DIODES制造的用户指南。DMN65D8LW-7-F采用SOT323封装，是IC芯片的一部分。
DMN66D0LDW，电路图由DIODES制造。DMN66D0LDW在SOT363封装中提供，是FET阵列的一部分。
