9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN62D0UDW-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN62D0UDW-13参考价格$0.07392。Diodes Incorporated DMN62D0UDW-13封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363。您可以下载DMN62D0UDW-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMN62D0UDW-13价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMN62D0LFD-7带有引脚细节，包括DMN62系列，它们设计为使用卷筒包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如X1-DFN1212-3，技术设计为在Si中工作，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供480 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.7 ns，上升时间为2.1 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为310 mA，且Vds漏极-源极击穿电压为60V，且Vgs栅极-源极阈值电压为1V，且Rds导通漏极-漏极电阻为2欧姆，且晶体管极性为N沟道，且典型关断延迟时间为18ns，且典型接通延迟时间为2.6ns，且Qg栅极电荷为500pC，且正向跨导最小值为1.8S，且沟道模式为增强。
DMN62D0SFD-7是MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN，包括1.6V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60V，提供典型的开启延迟时间特性，如3.95 ns，典型的关闭延迟时间设计为16 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMN62系列，该器件的上升时间为3.81ns，漏极-源极电阻Rds为2欧姆，Qg栅极电荷为0.87nC，Pd功耗为0.89W，封装为卷轴式，封装盒为X1-DFN1212-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为540 mA，下降时间为9.04 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的DMN62D0U-13，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于提供Si等技术特性的DMN62D 0U，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
DMN62D0U-7具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计为使用卷筒封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供DMN62D0 U等系列功能，晶体管类型设计为在1个N通道以及1个通道数量的通道中工作。
