9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN65D8LDWQ-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN65D8LDWQ-13参考价格$0.07586。Diodes Incorporated DMN65D8LDWQ-13封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363。您可以下载DMN65D8LDWQ-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMN65D8L-7是MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23，包括DMN63系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-23-3以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有370 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为7.3 N，上升时间为2.8 ns，Id连续漏电流为310 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12.6ns，典型接通延迟时间为2.7ns，Qg栅极电荷为0.87nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的DMN63D8LW-13，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了DMN63等系列功能，包装设计为在卷筒中工作，以及1信道数的信道。
带有电路图的DMN63D8LW-7，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于DMN63，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
DMN65D8L，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMN65D8L采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
