9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDC6322C，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDC6322C参考价格为0.87美元。onsemi FDC6322C封装/规格：MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6。您可以下载FDC6322C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDC6321C是MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于FDC6321C_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001270盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-23-6 Thin、TSOT-23-6以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，设备提供2信道数信道，设备具有SuperSOT-供应商设备包的6，配置为N通道P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为700mW，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Ciss Vds为50pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为680mA、460mA，最大Id Vgs的Rds为450mOhm@500mA，4.5V，Vgs的最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.3nC@5V，Pd功耗为900mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns 9 ns，上升时间为8纳秒9 ns，Vgs栅源电压为8 V，并且Id连续漏极电流为680 mA-460 mA，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Rds导通漏极-漏极电阻为450 m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为17 ns 55 ns，典型接通延迟时间为3 ns 7 ns，正向跨导最小值为1.45 S 0.8 S，沟道模式为增强型。
FDC6320C-NL，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDC6320C-NL采用TSOT23-6封装，是IC芯片的一部分。
FDC6321C-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDC6321C-NL采用SOT23-6封装，是IC芯片的一部分。
